IRF3710S和IRF3710SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3710S IRF3710SPBF IRF3710STRLPBF

描述 D2PAK N-CH 100V 57AINFINEON  IRF3710SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 VN沟道,100V,57A,23mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - 200 W 200 W

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 200 W 200 W

输入电容 - - 3130 pF

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 57A 57A 57A

上升时间 58 ns 58 ns 58 ns

输入电容(Ciss) 3130pF @25V(Vds) 3130pF @25V(Vds) 3130pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 200 W

下降时间 47 ns 47 ns 47 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 200W (Tc) 200W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.023 Ω -

阈值电压 - 4 V -

长度 - 10.67 mm 9.65 mm

宽度 - 9.65 mm 6.22 mm

高度 - 4.83 mm 2.3 mm

封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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