IRG4BC30FD-S和IRG4BC30FD-SPBF

对比图

型号 IRG4BC30FD-S IRG4BC30FD-SPBF IRG4BC30FD-STRRPBF

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin (2+Tab) D2PAKINFINEON  IRG4BC30FD-SPBF  单晶体管, IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-263, 3 引脚Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

额定功率 100 W 100 W -

针脚数 - 3 -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 100 W -

上升时间 - 27.0 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V -

反向恢复时间 42 ns 42 ns -

额定功率(Max) 100 W 100 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 100 W -

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -