BC372G和MMBT3906LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC372G MMBT3906LT1G BC548A

描述 高压达林顿晶体管 High Voltage Darlington TransistorsON SEMICONDUCTOR  MMBT3906LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 300 hFETransistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 SOT-23-3 TO-92

额定电压(DC) 100 V -40.0 V -

额定电流 1.00 A -200 mA -

极性 NPN PNP -

耗散功率 1500 mW 225 mW 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 40 V -

集电极最大允许电流 1A 0.2A -

最小电流放大倍数(hFE) 10000 @100mA, 5V 100 @10mA, 1V -

额定功率(Max) 625 mW 300 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 200 MHz - -

耗散功率(Max) 1500 mW 300 mW 500 mW

增益频宽积 - - 300 MHz

频率 - 250 MHz -

额定功率 - 300 mW -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 300 -

高度 5.33 mm 0.94 mm -

封装 TO-226-3 SOT-23-3 TO-92

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Box Tape & Reel (TR) Roll, Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

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