对比图
型号 IXFP10N60P IXTI10N60P FQB10N60CTM
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFP10N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 740 mohm, 10 V, 5.5 VTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3Pin(2+Tab) D2PAKTrans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-263-3
引脚数 3 - -
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 10.0 A 10.0 A 9.50 A
耗散功率 200 W 200W (Tc) 3.13W (Ta), 156W (Tc)
输入电容 1.61 nF 1.61 nF -
栅电荷 32.0 nC 32.0 nC -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10.0 A 9.50 A
输入电容(Ciss) 1610pF @25V(Vds) 1610pF @25V(Vds) 2040pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 200000 mW 200W (Tc) 3.13W (Ta), 156W (Tc)
漏源极电阻 0.74 Ω - 730 mΩ
极性 N-Channel - N-Channel
漏源击穿电压 600 V - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
针脚数 3 - -
阈值电压 5.5 V - -
上升时间 27 ns - -
反向恢复时间 200 ns - -
额定功率(Max) 200 W - -
下降时间 21 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-263-3
长度 10.66 mm - -
宽度 4.83 mm - -
高度 9.15 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 - - EAR99