对比图
描述 达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power TransistorsON SEMICONDUCTOR BDX33BG 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 70 W, 10 A, 750 hFETO-220 NPN 80V 10A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 70000 mW 70 W 2000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 10A 10A 10A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70000 mW 70000 mW 2000 mW
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -
额定电流 10.0 A 10.0 A -
最小电流放大倍数(hFE) 750 @3A, 3V 750 @3A, 3V -
额定功率(Max) 70 W 70 W -
针脚数 - 3 -
最大电流放大倍数(hFE) - 750 @3A, 3V -
直流电流增益(hFE) - 750 -
高度 - 15.75 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
长度 - 10.53 mm -
宽度 - 4.83 mm -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube -
最小包装 50 - -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -