BSH202和NTS4101PT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSH202 NTS4101PT1G SI2303CDS-T1-GE3

描述 NXP  BSH202  晶体管, MOSFET, P沟道, -520 mA, -30 V, 0.63 ohm, -10 V, -1.9 VP 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorVISHAY  SI2303CDS-T1-GE3.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -2.7A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-323-3 SOT-23

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.63 Ω 0.12 Ω 0.158 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 417 mW 329 mW 2.3 W

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V -30.0 V

连续漏极电流(Ids) 0.52A 1.37 A -2.70 A

上升时间 - 14.9 ns 37 ns

输入电容(Ciss) - 840pF @20V(Vds) 155pF @15V(Vds)

下降时间 - 18 ns 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.417 W 329 mW 1000 mW

额定电压(DC) - -20.0 V -

额定电流 - -1.37 A -

阈值电压 - 640 mV -

栅源击穿电压 - ±8.00 V -

额定功率(Max) - 329 mW -

长度 3 mm 2.2 mm 3.04 mm

宽度 1.4 mm 1.35 mm 1.4 mm

高度 1 mm 0.9 mm 1.02 mm

封装 SOT-23 SOT-323-3 SOT-23

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Unknown Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

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