FCPF20N60T和FCPF22N60NT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FCPF20N60T FCPF22N60NT FCPF20N60

描述 MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF22N60NT  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 22A, TO-220FFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF20N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 20.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.14 Ω 150 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 39 W 1.64 W 39 W

阈值电压 - 3 V 5 V

输入电容 - - 3.08 nF

栅电荷 - - 98.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - - 600 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 22.0 A 20.0 A

上升时间 - 16.7 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 3080pF @25V(Vds) 1950pF @100V(Vds) 3080pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 39 W 39 W 39 W

下降时间 - 4 ns 65 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 39W (Tc) 39W (Tc) 39 W

长度 - 10.36 mm 10.16 mm

宽度 - 4.9 mm 4.7 mm

高度 - 16.07 mm 9.19 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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