对比图
型号 NTP5860NG NTP5860NLG
描述 N沟道功率MOSFET N-Channel Power MOSFETTO-220AB N-CH 60V 220A
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1
极性 - N-CH
耗散功率 283 W 283 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - 220A
上升时间 - 58 ns
输入电容(Ciss) 10760pF @25V(Vds) 10760pF @25V(Vds)
下降时间 - 144 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 283W (Tc) 283W (Tc)
输出功率 283 W -
电源电压 60 V -
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99