TO-220AB N-CH 60V 220A
Make an effective common gate amplifier using this power MOSFET from . Its maximum power dissipation is 283000 mW. This product comes in rail packaging to keep individual parts separated and protected. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 283 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 220A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 10760pF @25VVds
下降时间 144 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 283W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NTP5860NLG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NTP5860NG 安森美 | 完全替代 | NTP5860NLG和NTP5860NG的区别 |