对比图
型号 BSM100GB120DN2 MG150Q2YS51 MG200Q2YS91
描述 IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)GTR Module: Silicon N-Channel IGBT
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
封装 Half Bridge2 - -
耗散功率 800 W - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -40 ℃ - -
长度 106.4 mm - -
宽度 61.4 mm - -
高度 30 mm - -
封装 Half Bridge2 - -
产品生命周期 Not Recommended Obsolete Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free - -