对比图
描述 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V
额定电流 90.0 A 80.0 A
额定功率 - 45 W
针脚数 - 3
漏源极电阻 10.0 mΩ 0.012 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 83 W 45 W
阈值电压 - 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 90.0 A 40.0 A
上升时间 492 ns 80 ns
输入电容(Ciss) 6150pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 83 W 45 W
下降时间 355 ns 60 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 83W (Tc) 45W (Tc)
漏源击穿电压 100 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V -
长度 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm
高度 16.3 mm 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99