对比图
型号 PSMN1R2-25YL PSMN1R2-25YL,115
描述 N沟道25 V 1.2毫欧的LFPAK逻辑电平MOSFET N-channel 25 V 1.2 mΩ logic level MOSFET in LFPAKNXP PSMN1R2-25YL,115 场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 100A, 4-SOT-669
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 4 4
封装 - SOT-669
针脚数 - 4
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 121 W 121 W
阈值电压 - 1.7 V
漏源极电压(Vds) - 25 V
连续漏极电流(Ids) - 100 A
上升时间 - 125 ns
输入电容(Ciss) - 6380pF @12V(Vds)
额定功率(Max) - 121 W
下降时间 - 56 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
耗散功率(Max) - 121W (Tc)
封装 - SOT-669
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17