对比图
型号 FDS2582 SI4848DY-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS2582 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 150 V, 0.057 ohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.057 Ω 0.068 Ω
耗散功率 2.5 W 1.5 W
阈值电压 4 V 2 V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V
上升时间 19 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 1290pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 2.5 W 1.5 W
下降时间 26 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) -
极性 N-Channel N-Channel
连续漏极电流(Ids) 4.10 A 2.70 A
额定电压(DC) 150 V -
额定电流 4.10 A -
通道数 1 -
输入电容 1.29 nF -
栅电荷 19.0 nC -
漏源击穿电压 150 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
封装 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm -
宽度 4 mm -
高度 1.5 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -