IDD12SG60C和IDD12SG60CXTMA1

对比图

型号 IDD12SG60C IDD12SG60CXTMA1

描述 第三代的thinQ ！ TM SiC肖特基二极管 3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky DiodeIDD12SG60C 系列 600V 12A 第3代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-252-3

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管TVS二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 125 W -

负载电流 12 A -

反向恢复时间 0 ns 0 ns

最大正向浪涌电流（Ifsm） 59 A -

正向电压(Max) 2.1V @12A -

正向电流(Max) 12 A 12 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 125000 mW 125000 mW

正向电压 - 2.1V @12A

耗散功率 - 125000 mW

正向电流 - 12000 mA

长度 6.73 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.26 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99