对比图
型号 AO6401A FDC642P_F085 FDC642P
描述 AO6401A 编带PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
数据手册 ---
制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOP-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6
额定电压(DC) - - -20.0 V
额定电流 - - -4.00 A
针脚数 - - 6
漏源极电阻 - - 0.045 Ω
极性 P-CH P-CH P-Channel
耗散功率 2 W 1.6 W 1.6 W
输入电容 - - 640 pF
栅电荷 - - 7.20 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 20 V
栅源击穿电压 - - ±8.00 V
连续漏极电流(Ids) 5A 4A 4.00 A
上升时间 3.5 ns - 19.0 ns
输入电容(Ciss) 1180pF @15V(Vds) 640pF @10V(Vds) 925pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 1 W - 800 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2W (Ta) 1.2W (Ta) 1.6W (Ta)
通道数 - 1 -
额定功率 1.3 W - -
下降时间 9 ns - -
长度 - 3 mm 3 mm
宽度 - 1.7 mm 1.7 mm
高度 - 1 mm 1 mm
封装 TSOP-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99