对比图
描述 NPN 通用放大器NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial TransistorON SEMICONDUCTOR BCP56T3G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-223-4 SOT-223-4 TO-261-4
引脚数 4 - 4
额定电压(DC) - 80.0 V 80.0 V
额定电流 - 1.00 A 1.00 A
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 1.5 W 1.5 W 1.5 W
增益频宽积 - 130 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 1A 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 25 40 @150mA, 2V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -65 ℃
频率 130 MHz - 130 MHz
针脚数 3 - 4
额定功率(Max) 1 W - 1.5 W
直流电流增益(hFE) 25 - 25
耗散功率(Max) 1 W - 1.5 W
最大电流放大倍数(hFE) 160 - -
长度 6.5 mm 6.5 mm 6.5 mm
宽度 3.5 mm 3.5 mm 3.5 mm
高度 1.6 mm 1.57 mm 1.63 mm
封装 SOT-223-4 SOT-223-4 TO-261-4
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 1000 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃