MMBF5103和PMBFJ111,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF5103 PMBFJ111,215 SST201-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF5103  晶体管, JFET, 40 V, 10 mA, 40 mA, -2.7 V, SOT-23, 开关PMBFJ111,215 N通道 JFET 晶体管 40 V, 3引脚 TO-236AB封装 min. 20mAVISHAY  SST201-T1-E3  晶体管, JFET, JFET, -40 V, 200 µA, 1 mA, -1.5 V, TO-236, JFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

击穿电压 - -40.0 V -40.0 V

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 30 Ω -

耗散功率 350 mW 300 mW 350 mW

漏源极电压(Vds) 40.0 V 40 V -

击穿电压 40 V 40 V -

输入电容(Ciss) 16pF @15V(Vds) 6pF @10V(Vgs) -

额定功率(Max) 350 mW 300 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 50.0 mA - -

极性 N-Channel - N-Channel

输入电容 16.0 pF - -

连续漏极电流(Ids) 50.0 mA - 1.00 mA

耗散功率(Max) 350 mW - -

漏源击穿电压 - - -300 mV

栅源击穿电压 - - -1.50 V

高度 1.04 mm 1 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -

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