BUZ31和IRF640NSTRLPBF

对比图

型号 BUZ31 IRF640NSTRLPBF IRF640S

描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorINFINEON  IRF640NSTRLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VN - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 263 MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 14.5 A - -

漏源极电阻 200 mΩ 0.15 Ω 180 mΩ

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 95 W 150 W 125 W

阈值电压 3 V 4 V -

输入电容 1.12 nF 1160 pF -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 14.5 A 18A -

上升时间 50 ns 19 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 1120pF @25V(Vds) 1160pF @25V(Vds) -

下降时间 60 ns 5.5 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 95W (Tc) 150W (Tc) -

额定功率 - 150 W -

针脚数 - 3 -

额定功率(Max) - 150 W -

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 200 V

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.67 mm 10.4 mm

宽度 - 9.65 mm 9.35 mm

高度 - 4.83 mm 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -