SIHG24N65E-GE3和SPW24N60C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SIHG24N65E-GE3 SPW24N60C3 SIHG24N65E-E3

描述 VISHAY  SIHG24N65E-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 24A, TO-247AC-3INFINEON  SPW24N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24.3 A, 650 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 VE系列功率MOSFET E Series Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 24.3 A -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.12 Ω 0.14 Ω 0.12 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 250 W 240 W 250 W

阈值电压 2 V 3 V 2 V

输入电容 - 3.00 nF -

栅电荷 - 135 nC -

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) - 24.3 A -

上升时间 - 21 ns -

输入电容(Ciss) 2740pF @100V(Vds) 3000pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 240 W -

下降时间 - 14 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 250 W 240W (Tc) -

长度 15.87 mm 16.03 mm -

宽度 5.31 mm 5.16 mm -

高度 20.7 mm 21.1 mm -

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 - Active -

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 - NLR -

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