对比图
型号 PBSS5330PA PBSS5580PA,115 PBSS5580PA
描述 30 V ，3A PNP低VCEsat晶体管晶体管 30 V, 3 A PNP low VCEsat transistorHUSON3 PNP 80V 4A低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 SOT-1061 SOT-3 HUSON
最小电流放大倍数(hFE) - 140 @2A, 2V 70
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 500 mW
极性 PNP PNP -
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 80 V -
集电极最大允许电流 3A 4A -
最大电流放大倍数(hFE) - 265 -
额定功率(Max) - 2.1 W -
耗散功率 500 mW - -
直流电流增益(hFE) 320 - -
长度 - - 2.1 mm
宽度 - 2.1 mm 2.1 mm
高度 - - 0.65 mm
封装 SOT-1061 SOT-3 HUSON
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
工作温度 - 150℃ (TJ) -