对比图
型号 STB16NF06LT4 STP80NF10 NTB18N06LT4G
描述 STMICROELECTRONICS STB16NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics15A,60V功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
额定电压(DC) 60.0 V 100 V 60.0 V
额定电流 16.0 A 80.0 A 15.0 A
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.07 Ω 0.012 Ω 100 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 45 W 300 W 48.4 W
阈值电压 1 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 100 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 100 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V ±20.0 V ±10.0 V
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 80.0 A 15.0 A
上升时间 37 ns 80 ns 121 ns
输入电容(Ciss) 345pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 45 W 300 W 48.4 W
下降时间 12.5 ns 60 ns 42 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 45W (Tc) 300W (Tc) 48.4W (Tc)
额定功率 - 300 W -
输入电容 - 5500 pF -
长度 10.75 mm 10.4 mm -
宽度 10.4 mm 4.6 mm -
高度 4.6 mm 9.15 mm -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99