IPD053N06N3GBTMA1和IPD053N06NATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD053N06N3GBTMA1 IPD053N06NATMA1 IPD025N06NATMA1

描述 DPAK N-CH 60V 90AINFINEON  IPD053N06NATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 60 V, 0.0045 ohm, 10 V, 2.8 VINFINEON  IPD025N06NATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.8 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 115W (Tc) 83 W 167 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 90A 45A 90A

上升时间 68 ns 12 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 6600pF @30V(Vds) 2000pF @30V(Vds) 5200pF @30V(Vds)

下降时间 9 ns 7 ns 12 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 115W (Tc) 3000 mW 3W (Ta), 167W (Tc)

额定功率 - 83 W 167 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.0045 Ω 0.0021 Ω

阈值电压 - 2.8 V 2.8 V

输入电容 - 2000 pF 5200 pF

通道数 - 1 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.5 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.3 mm 2.41 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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