FQD3P50TF和FQD3P50TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD3P50TF FQD3P50TM FQD3P50TM_F085

描述 Trans MOSFET P-CH 500V 2.1A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD3P50TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.1 A, -500 V, 3.9 ohm, -10 V, -5 V 新MOSFET Trans MOS P-Ch 500V 2.1A 3Pin 2+Tab

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -500 V -500 V -

额定电流 -2.10 A -2.10 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 4.90 Ω 3.9 Ω 4.9 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2.10 A 2.10 A 2.1A

上升时间 56 ns 56 ns 56 ns

输入电容(Ciss) 660pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

下降时间 45 ns 45 ns 45 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 500 V

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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