对比图
型号 FQP13N50 STP80NF10 IXFP12N50P
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP13N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V 100 V 500 V
额定电流 12.5 A 80.0 A 12.0 A
额定功率 - 300 W -
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.33 Ω 0.012 Ω 0.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 170 W 300 W 200 W
阈值电压 5 V 3 V 5.5 V
输入电容 - 5500 pF 1.69 nF
漏源极电压(Vds) 500 V 100 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 100 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 12.5 A 80.0 A 12.0 A
上升时间 140 ns 80 ns -
输入电容(Ciss) 2300pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 1830pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 170 W 300 W 200 W
下降时间 85 ns 60 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 170W (Tc) 300W (Tc) 200W (Tc)
栅电荷 - - 29.0 nC
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.66 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.83 mm
高度 16.3 mm 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2016/06/20
ECCN代码 EAR99 EAR99 -