对比图
型号 JAN2N3700 JANS2N3700 2N3700
描述 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-18STMICROELECTRONICS 2N3700 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 1 A, 100 hFE
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Semicoa Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-18-3 TO-18 TO-18
耗散功率 0.5 W 0.5 W 500 mW
击穿电压(集电极-发射极) 80 V - 80 V
最小电流放大倍数(hFE) 50 @500mA, 10V - 100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) 300 - 300
额定功率(Max) 500 mW - 500 mW
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW
频率 - - 100 MHz
额定电压(DC) - - 80.0 V
额定电流 - - 1.00 A
针脚数 - - 3
极性 - - NPN
直流电流增益(hFE) - - 100
封装 TO-18-3 TO-18 TO-18
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Bag - Bag
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -