STD120N4LF6和BUK625R0-40C,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD120N4LF6 BUK625R0-40C,118 IRLR3114ZPBF

描述 N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsDPAK N-CH 40V 90AN沟道 40V 42A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 1 1 -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 158 W 140 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) - 90A 130 A

上升时间 95 ns 52 ns -

输入电容(Ciss) 4300pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 3810pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 158 W 140 W

下降时间 45 ns 77 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 158W (Tc) -

漏源极电阻 0.004 Ω - 6.5 mΩ

阈值电压 1V ~ 3V - -

漏源击穿电压 40 V - -

产品系列 - - IRLR3114Z

输入电容 - - 3810pF @25V

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.6 mm - 6.73 mm

宽度 6.2 mm - -

高度 2.4 mm - 2.39 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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