DS1250Y-100IND和DS1250Y-100IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1250Y-100IND DS1250Y-100IND+ DS1250Y-70IND+

描述 IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIPIC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250Y-70IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 100 GHz 100 GHz 70.0 GHz

存取时间 100 ns 100 ns 70 ns

内存容量 4000000 B 4000000 B 500000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

针脚数 - - 32

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

长度 - - 44.2 mm

宽度 - - 18.8 mm

高度 - - 10.92 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube, Rail Tube, Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台