IRF6635和IRF6727MTRPBF

对比图

型号 IRF6635 IRF6727MTRPBF IRF6635TRPBF

描述 Direct-FET N-CH 30V 32AINFINEON  IRF6727MTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 30 V, 0.00122 ohm, 10 V, 1.8 V 新Single N-Channel 30V 2.8W 47NC SMT Power Mosfet - DirectFETIsometric MX

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 Direct-FET Direct-FET DirectFET-3

引脚数 - 7 -

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 32.0 A - 32.0 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.8W (Ta), 89W (Tc) 89 W 89.0 W

产品系列 IRF6635 - IRF6635

输入电容 - 6190 pF 5.97 nF

栅电荷 - - 71.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 32.0 A 32A 25.0 A, 32.0 mA

上升时间 13.0 ns 31 ns 13.0 ns

输入电容(Ciss) 5970pF @15V(Vds) 6190pF @15V(Vds) 5970pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.8 W

额定功率 - 89 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 7 -

漏源极电阻 - 0.00122 Ω -

阈值电压 - 1.8 V -

下降时间 - 16 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) -

封装 Direct-FET Direct-FET DirectFET-3

长度 - 6.35 mm -

宽度 - 5.05 mm -

高度 - 0.7 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

材质 - Silicon -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -