FZT649和PBSS303NZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FZT649 PBSS303NZ

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FZT649  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 150 MHz, 2 W, 3 A, 15 hFENXP  PBSS303NZ  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 130 MHz, 2 W, 5.5 A, 250 hFE

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4

封装 TO-261-4 SOT-223

针脚数 4 4

极性 N-Channel, NPN NPN

耗散功率 2 W 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 30 V

集电极最大允许电流 - 5.5A

直流电流增益(hFE) 15 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃

频率 150 MHz -

额定电压(DC) 25.0 V -

额定电流 3.00 A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1A, 2V -

额定功率(Max) 2 W -

耗散功率(Max) 2000 mW -

封装 TO-261-4 SOT-223

长度 6.7 mm -

宽度 3.7 mm -

高度 1.7 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17

军工级 - -

ECCN代码 EAR99 -

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