对比图
型号 IRF252 JANHCA2N6766 JANTXV2N6766
描述 High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness SeriesTO-3 N-CH 200V 30A每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 - TO-3 TO-3
耗散功率 - - 4W (Ta), 150W (Tc)
漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 4W (Ta), 150W (Tc)
极性 - N-CH -
连续漏极电流(Ids) - 30A -
封装 - TO-3 TO-3
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 - - Bulk
RoHS标准 - - Non-Compliant
含铅标准 - - Contains Lead