对比图
型号 MUN5313DW1T1G UMD2 MUN5313DW1T1
描述 ON SEMICONDUCTOR MUN5313DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-88UMD2 NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 30mA/-30mA 150mW/0.15W SOT-363/UMT6/SC-88/SC70-6 标记D2 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
封装 SC-70-6 SOT-363 SOT-363
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 6 - 6
封装 SC-70-6 SOT-363 SOT-363
长度 2 mm - -
宽度 1.25 mm - -
高度 0.9 mm - 0.9 mm
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free - Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V
额定电流 100 mA - 100 mA
极性 NPN, PNP - NPN+PNP
耗散功率 256 mW - 385 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V - 50 V
集电极最大允许电流 100mA - 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 80 - 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) 80 - -
额定功率(Max) 250 mW - 250 mW
直流电流增益(hFE) 140 - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 385 mW - 385 mW
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 NLR - -