对比图
型号 PDTB123TT,215 PDTB123ET,215 DTA114TKAT146
描述 TO-236AB PNP 50V 500mATO-236AB PNP 50V 500mAROHM DTA114TKAT146 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 10 mA, 250 hFE
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 0.25 W - 200 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 500mA 500mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 100 @50mA, 5V 40 @50mA, 5V 100 @1mA, 5V
额定功率(Max) 250 mW 250 mW 200 mW
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 250 mW - 200 mW
额定电压(DC) - - -50.0 V
额定电流 - - -100 mA
额定功率 - - 0.2 W
针脚数 - - 3
直流电流增益(hFE) - - 250
增益带宽 - - 250 MHz
高度 1 mm 1 mm 1.2 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99