对比图
型号 IPB26CN10NG SPA04N80C3 SPP04N80C3
描述 的OptiMOS功率三极管特性增强模式的逻辑电平额定雪崩 OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche ratedINFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 D2PAK TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 800 V 800 V
额定电流 - 4.00 A 4.00 A
额定功率 - 38 W 63 W
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 1.1 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 71.0 W 38 W 63 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) - 800 V 800 V
漏源击穿电压 - - 800 V
连续漏极电流(Ids) - 4.00 A 4.00 A
上升时间 - 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) - 570pF @100V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 38 W 63 W
下降时间 - 12 ns 12 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 38W (Tc) 63W (Tc)
长度 - 10.65 mm 10 mm
宽度 - 4.85 mm 4.4 mm
高度 - 16.15 mm 15.65 mm
封装 D2PAK TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -