CY7C1302CV25-167BZC和CY7C1302DV25-167BZC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1302CV25-167BZC CY7C1302DV25-167BZC CY7C1302DV25-167BZXC

描述 9兆位与QDR ™架构连拍两张流水线的SRAM 9-Mbit Burst of Two Pipelined SRAMs with QDR⑩ Architecture9兆位与QDR ™架构连拍两张流水线的SRAM 9-Mbit Burst of Two Pipelined SRAMs with QDR⑩ Architecture9兆位与QDR ™架构连拍两张流水线的SRAM 9-Mbit Burst of Two Pipelined SRAMs with QDR⑩ Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 BGA FBGA-165 FBGA-165

引脚数 - 165 165

封装 BGA FBGA-165 FBGA-165

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray Tray

香港进出口证 NLR NLR -

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a

供电电流 - 500 mA -

时钟频率 - 167 MHz 167 MHz

位数 - 18 18

存取时间 - 2.5 ns 2.5 ns

存取时间(Max) - 2.5 ns 2.5 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 - 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V

电源电压(Max) - - 2.6 V

电源电压(Min) - - 2.4 V

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead 无铅

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