2N1893和JANTX2N1893

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N1893 JANTX2N1893 2N1893S

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-5-3 TO-5-3 TO-5-3

耗散功率 0.8 W 800 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V

额定功率(Max) - 800 mW 3 W

封装 TO-5-3 TO-5-3 TO-5-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Bag Bag Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 - EAR99 -

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