IRG4BC30KDPBF和IRG4BC30UDPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4BC30KDPBF IRG4BC30UDPBF STGP8NC60KD

描述 INFINEON  IRG4BC30KDPBF  单晶体管, IGBT, 28 A, 2.21 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚INFINEON  IRG4BC30UDPBF  单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 100 W 100 W -

针脚数 3 3 3

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 100 W 100 W 65 W

输入电容 - 1100 pF -

上升时间 42.0 ns 21.0 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

热阻 1.2℃/W (RθJC) 80 ℃/W -

反向恢复时间 42 ns 42 ns 23.5 ns

额定功率(Max) 100 W 100 W 65 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 100000 mW 100000 mW 65000 mW

长度 10.54 mm 10.54 mm -

宽度 4.69 mm 4.69 mm -

高度 8.77 mm 8.77 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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