FDC602P和SI3469DV-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDC602P SI3469DV-T1-E3 SI3433CDV-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC602P  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.5 A, -20 V, 35 mohm, -4.5 V, -900 mVTrans MOSFET P-CH 20V 5A 6Pin TSOP T/RP通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOP-6

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -5.50 A - -

针脚数 6 - 6

漏源极电阻 0.035 Ω 0.051 Ω 0.031 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.6 W 1.14 W 1.6 W

输入电容 1.46 nF - -

栅电荷 14.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 20 V -20.0 V 20 V

漏源击穿电压 -20.0 V - -

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

连续漏极电流(Ids) -5.50 A -6.70 A -5.20 A

上升时间 11 ns - 22 ns

输入电容(Ciss) 1456pF @10V(Vds) - 1300pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW - 3.3 W

下降时间 11 ns - 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.14W (Ta) 3.3 W

阈值电压 - - 1 V

长度 3 mm 3.1 mm 3.1 mm

宽度 1.7 mm - 1.7 mm

高度 1 mm 1 mm 1 mm

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOP-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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