对比图
型号 IXFH16N50P STD18N55M5 SPP04N80C3
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-252-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V - 800 V
额定电流 16.0 A - 4.00 A
额定功率 - - 63 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 400 mΩ 0.18 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 90 W 63 W
阈值电压 - 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 550 V 800 V
漏源击穿电压 500 V 550 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 16A 4.00 A
上升时间 25 ns 9.5 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 90 W 63 W
下降时间 22 ns 13 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 110W (Tc) 63W (Tc)
输入电容 2.25 nF - -
栅电荷 43.0 nC - -
长度 16.26 mm 6.6 mm 10 mm
宽度 5.3 mm 6.2 mm 4.4 mm
高度 21.46 mm 2.4 mm 15.65 mm
封装 TO-247-3 TO-252-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17