BC237BZL1和BC237BZL1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC237BZL1 BC237BZL1G BC237BG

描述 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SiliconON SEMICONDUCTOR  BC237BG.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 200 MHz, 350 mW, 100 mA, 150 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 - - 200 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

针脚数 - - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - - 350 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 350 mW 350 mW 1 W

直流电流增益(hFE) - - 150

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 1 W

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape Tape Box

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2018/01/15

ECCN代码 - - EAR99

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