MUN5111DW1T1G和PUMB11,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5111DW1T1G PUMB11,115 DDA114TU-7

描述 ON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NXP  PUMB11,115  双极晶体管阵列, BRT, PNP, -50 V, 200 mW, -100 mA, 30 hFE, SOT-363Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 6Pin SOT-363 T/R

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-88-6 SOT-363-6 SC-70-6

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 0.385 W 200 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 30 @5mA, 5V 100 @1mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 300 mW 200 mW

增益带宽 - - 250 MHz

耗散功率(Max) 385 mW - 200 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

最大电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

针脚数 - 6 -

直流电流增益(hFE) - 30 -

封装 SC-88-6 SOT-363-6 SC-70-6

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.9 mm 1 mm -

产品生命周期 Active Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 - NLR -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

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