FDP3682和STP35NF10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP3682 STP35NF10 IRF510PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP3682  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STP35NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 35 mohm, 10 V, 3 V功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 32.0 A 40.0 A 5.60 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.032 Ω 0.035 Ω 0.54 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 95 W 115 W 43 W

阈值电压 4 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 32.0 A 40.0 A 5.60 A

上升时间 46 ns 60 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 1250pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 95 W 115 W 43 W

下降时间 32 ns 15 ns 9.4 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 95W (Tc) 115W (Tc) 43W (Tc)

额定功率 - - 43 W

输入电容 1.25 nF - -

栅电荷 18.5 nC - -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.41 mm

宽度 4.83 mm 4.6 mm 4.7 mm

高度 9.4 mm 9.15 mm 9.01 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -

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