对比图
型号 FDP3682 STP35NF10 IRF510PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP3682 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP35NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 35 mohm, 10 V, 3 V功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 32.0 A 40.0 A 5.60 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.032 Ω 0.035 Ω 0.54 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 95 W 115 W 43 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 40.0 A 5.60 A
上升时间 46 ns 60 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 1250pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 95 W 115 W 43 W
下降时间 32 ns 15 ns 9.4 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 95W (Tc) 115W (Tc) 43W (Tc)
额定功率 - - 43 W
输入电容 1.25 nF - -
栅电荷 18.5 nC - -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.41 mm
宽度 4.83 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 NLR - -