DRV5012AEDMRR和DRV5012AEDMRT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DRV5012AEDMRR DRV5012AEDMRT

描述 低功耗(低至 3.3μA)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 4-X2SON -40 to 85低功耗(低至 3.3μA)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 4-X2SON -40 to 85

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类

基础参数对比

引脚数 4 4

封装 XFDFN-4 XFDFN-4

输出电流(Max) 5 mA 5 mA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 5.5V 1.65V ~ 5.5V

输出电流 5 mA -

封装 XFDFN-4 XFDFN-4

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99

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