APT6030BVRG和STW25NM60ND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT6030BVRG STW25NM60ND IXFH20N60Q

描述 TO-247 N-CH 600V 21AN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-247AD

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 21.0 A - -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 298 W 160 W 300 W

输入电容 3.75 nF 2400 pF -

栅电荷 150 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 21.0 A 21A -

上升时间 10 ns 30 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 3750pF @25V(Vds) 2400pF @50V(Vds) 3300pF @25V(Vds)

下降时间 8 ns 40 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 298000 mW 160W (Tc) 300W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.13 Ω -

阈值电压 - 4 V -

额定功率(Max) - 160 W 300 W

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 20.15 mm -

产品生命周期 Active Active Last Time Buy

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台