IXDD609CI和IXDD614CI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDD609CI IXDD614CI TC4420CAT

描述 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9AIXDD614 系列 35 V 14 A 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - TO-220-56A高速MOSFET驱动器 6A High-Speed MOSFET Drivers

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microchip (微芯)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 5 5 5

封装 TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5

上升/下降时间 22ns, 15ns 25ns, 18ns 25 ns

输出接口数 1 1 1

输出电流 9 A - -

下降时间(Max) 25 ns - 35 ns

上升时间(Max) 35 ns - 35 ns

工作温度(Max) 125 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 18V

电源电压(Max) 35 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

上升时间 - 35 ns -

输出电流(Max) - 14 A -

下降时间 - 25 ns -

电源电压(DC) - - 4.50V (min)

供电电流 - - 3.00 mA

耗散功率 - - 1600 mW

耗散功率(Max) - - 1600 mW

封装 TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - - 8542390001

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