BC850BW和BC850CW

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC850BW BC850CW BC850BW,115

描述 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistorsBC850CW NPN三极管 50V 100mA/0.1A 250MHz 420~800 200mV/0.2V SOT-323/SC-70 marking/标记 2G 中等功率晶体管SC-70 NPN 45V 0.1A

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 - SOT-323 SOT-323-3

频率 - - 100 MHz

极性 - - NPN

耗散功率 - - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) - - 45 V

集电极最大允许电流 - - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - - 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) - - 200 mW

直流电流增益(hFE) - - 200

工作温度(Max) - - 150 ℃

耗散功率(Max) - - 200 mW

高度 - - 1 mm

封装 - SOT-323 SOT-323-3

工作温度 - - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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