对比图
型号 IPD60R380P6ATMA1 IPD60R380P6BTMA1 IPD60R380C6ATMA1
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 VINFINEON IPD60R380P6BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 VINFINEON IPD60R380C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.342 Ω 0.342 Ω 0.34 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 83 W 83 W 83 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 10.6A 10.6A 10.6A
上升时间 6 ns - 10 ns
输入电容(Ciss) 877pF @100V(Vds) 877pF @100V(Vds) 700pF @100V(Vds)
下降时间 7 ns - 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc) 83W (Tc)
通道数 - - 1
输入电容 - - 700 pF
额定功率(Max) - 83 W 83 W
高度 2.3 mm - 2.41 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17