对比图
型号 AT-32011-TR2G AT-41511-TR1G AT-32011-TR1G
描述 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low CurrentTrans RF BJT NPN 12V 0.05A 4Pin(3+Tab) SOT-143 T/R射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current
数据手册 ---
制造商 AVAGO Technologies (安华高科) AVAGO Technologies (安华高科) AVAGO Technologies (安华高科)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-253-4 TO-253-4 TO-253-4
额定电压(DC) 5.50 V - 5.50 V
额定电流 32.0 mA - 32.0 mA
极性 NPN - NPN
耗散功率 200 mW 225 mW 200 mW
击穿电压(集电极-发射极) 5.5 V 12 V 5.5 V
增益 12.5dB ~ 14dB 11dB ~ 15.5dB 12.5dB ~ 14dB
最小电流放大倍数(hFE) 70 @2mA, 2.7V 30 70 @2mA, 2.7V
额定功率(Max) 200 mW 225 mW 200 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
频率 - - 10000 MHz
耗散功率(Max) - - 200 mW
测试频率 - 2.4 GHz -
直流电流增益(hFE) - 150 -
长度 3.06 mm - 3.06 mm
宽度 1.4 mm - 1.4 mm
高度 1.1 mm - 1.1 mm
封装 TO-253-4 TO-253-4 TO-253-4
工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown End of Life Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -