71V416S12BEI8和IDT71V416S12BEI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V416S12BEI8 IDT71V416S12BEI 71V416S12BEI

描述 IC SRAM 4Mbit 12NS 48CABGASRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 12ns 48Pin CABGA Tray静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 - 48

封装 TFBGA-48 TFBGA-48 CABGA-48

供电电流 - - 180 mA

存取时间 - - 12 ns

存取时间(Max) - - 12 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V - 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

长度 9.00 mm - 9 mm

宽度 9.00 mm - 9 mm

高度 - - 1.2 mm

封装 TFBGA-48 TFBGA-48 CABGA-48

厚度 1.20 mm - 1.20 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 -

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