CM75DU-24F和CM75DU-24H

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CM75DU-24F CM75DU-24H BSM75GB120DN2

描述 POWEREX CM75DU-24F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75A, 1.2kV, 450W, 1.2kV, ModulePOWEREX CM75DU-24H IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75A, 1.2kV, 450W, 1.2kV, ModuleIGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

数据手册 ---

制造商 Powerex Powerex Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Chassis Chassis Screw

引脚数 7 7 7

封装 Module Module 34MM-1

额定功率 - - 625 W

耗散功率 450 W 450 W 625 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

耗散功率(Max) - - 625000 mW

极性 N-Channel N-Channel -

额定电流 75.0 A - -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -

输入电容(Cies) 29nF @10V - -

额定功率(Max) 450 W - -

长度 - - 94 mm

宽度 - - 34 mm

高度 - - 30.5 mm

封装 Module Module 34MM-1

工作温度 - - -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Design

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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