IRF7343PBF和FDS4559_F085

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7343PBF FDS4559_F085 IRF7343TRPBF

描述 INFINEON  IRF7343PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 VFDS4559 系列 60 V 55 mOhm 互补 PowerTrench MOSFET - SOIC-8INFINEON  IRF7343TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 2 2 -

极性 N+P N+P N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 4.7A/3.4A 4.5A/3.5A 4.7A/3.4A

输入电容(Ciss) 740pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds) 740pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2 W 2000 mW

额定功率 2 W - 2 W

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.05 Ω - 0.043 Ω

阈值电压 1 V - 1 V

漏源击穿电压 55 V - -

热阻 62.5℃/W (RθJA) - 62.5℃/W (RθJA)

长度 5 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.575 mm 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not For New Designs Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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